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压力下极化子效应对有限深量子阱中施主结合能的影响
  • ISSN号:0253-4177
  • 期刊名称:半导体学报
  • 时间:0
  • 页码:848-855
  • 语言:中文
  • 分类:O471.3[理学—半导体物理;理学—物理]
  • 作者机构:[1]内蒙古大学理工学院物理系,呼和浩特010021, [2]内蒙古工业大学理学院物理系,呼和浩特010051
  • 相关基金:国家自然科学基金(批准号:60566002)和内蒙古自治区优秀学科带头人计划资助项目
  • 相关项目:压力下电子-声子相互作用对半导体异质结构中电子输运性质的影响
中文摘要:

考虑压力及屏蔽效应,同时计入量子阱结构中三类光学声子模(局域类体光学声子、半空间类体光学声子和界面光学声子)的作用,利用改进的LLP中间耦合方法处理电子-声子相互作用,讨论有限深量子阱中极化子效应对杂质态结合能的影响。结果表明,极化子效应使杂质态结合能明显降低,但压力使极化子效应减弱,屏蔽对极化子效应的影响不明显。

英文摘要:

A modified LLP variational method is adopted to discuss the polaronic effect on the binding energy of an impurity in an infinite quantum well by considering the pressure and screening effects. The influences from three optical phonon modes in the system (including confined longitudinal optical (LO) phonons, half-space LO phonons, and interface optical phonons) on the binding energy are considered. The results show that the polaronic effect significantly decreases the binding energy,but pressure weakens the polaronic effect. The influence of screening on the polaronic effect is not apparent.

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