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中文摘要：
人工合成半导体异质结构材料，诸如异质结，量子阱等的出现导致现代电子和光电子器件的快速发展，此类材料物性的理论和实验研究为近年来凝聚态物理领域的研究热点之一。本项目从理论上循序渐进地获得半导体异质结构中流体静压力和应变对界面能带错位之有限势垒、材料的介电常数、界面光学声子、体光学声子、电子有效质量等物理参数的调制作用乃至电子-声子相互作用及三元混晶效应。还通过讨论电子（空穴）态、杂质态和激子态等丰富了对上述诸问题的认识。系统地得到各支声子对II-VI族和含氮III-V族半导体单异质结、量子阱中电子的散射作用，在光学声子起主导作用的温度区域得到电子平行界面方向的输运特性以及压力和应变效应、混晶效应。研究结果不仅深化了对异质结构材料中电子的量子受限行为的认识，还解释了一些实验现象和预言了新物理现象，对推动本领域的实验和理论发展及指导新材料的探索、器件研制等方面有着重要意义。
结论摘要：
英文主题词pressure and strain; heterostructure of semiconductor; electron-phonon interaction; transport property of electron; ternary mixed crystal
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Interface excitons in a type-II ZnSe/ZnTe heterojunction under hydrostatic pressure: the triangle po
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