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Hydrostatic pressure effect on the electron mobility in a ZnSe/Znl-xCdxSe strained heterojunctio
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：《中国物理B：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：O42[理学—声学;理学—物理]
  • 作者机构：[1]Department of Physics, School of Physical Science and Technology, Inner Mongolia University, Hohhot 010021, China
  • 相关基金：Project supported by the National Natural Science Foundation （Grant No 60566002） and the Specialized Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education （Grant No 20070126001） of China.
作者： 白鲜萍[1], 班士良[1]
关键词： 电子漂移速度, 电场强度, 迁移率, 声学, 声子, electron mobility, ZnSe/Zn1-xCdxSe, strain, pressure effect
中文摘要：

E-mail： ndbaixp@imu.edu.cn

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期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京 中关村 中国科学院物理研究所内
  • 邮编：100080
  • 邮箱：
  • 电话：010-82649026 82649519
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:406