位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
流体静压力下应变闪锌矿(111)取向GaN/AlGaN量子阱中受屏蔽激子的结合能(英文)
  • ISSN号：0253-4177
  • 期刊名称：半导体学报
  • 时间：0
  • 页码：234-239
  • 语言：中文
  • 相关项目：压力下电子-声子相互作用对半导体异质结构中电子输运性质的影响
作者： 哈斯花|班士良|
同期刊论文项目
压力下电子-声子相互作用对半导体异质结构中电子输运性质的影响
期刊论文 24 会议论文 8 获奖 1
同项目期刊论文
Cyclotron resonance of a polaron in a realistic heterojunction and its pressure effect
Interface excitons in a type-II ZnSe/ZnTe heterojunction under hydrostatic pressure: the triangle po
介电常数的修正对半导体异质结中杂质态结合能的影响
压力下屏蔽对有限深量子阱中施主结合能的影响
ZnSe/Zn1-xCdxSe应变异质结中电子迁移率的流体静压力效应
流体静压力下磁场对半导体异质结中束缚极化子的影响(英文)
光学声子散射对纤锌矿AlN/GaN异质结中电子迁移率的影响
应变闪锌矿(001)取向GaN/AlGaN量子阱中受屏蔽激子的压力效应
Binding energies of excitons in a strained wurtzite GaN/AlGaN quantum well influenced by screening a
压力下应变异质结中施主杂质态的Stark效应
双势垒中类氢杂质位置变化对量子隧穿的影响
压力下极化子效应对有限深量子阱中施主结合能的影响
静压下ZnSe/Zn_(1-x)Cd_xSe应变异质结中电子的本征态
Pressure effect on the electron mobility in AlAs/GaAs quantum wells
屏蔽对压力下量子阱中激子结合能的影响
电子-空穴气屏蔽影响下有限深量子阱中电子与空穴的本征态
Electron mobility for a model AlxGa1-xAs/GaAs heterojunction under pressure
Effect of hydrostatic pressure on the binding energies of excitons in quantum wells
光学声子对纤型矿和闪锌矿 AlN/GaN量子阱中电子迁移率的影响
Influence of optical phonons on the electronic mobility in a strained wurtzite AlN/GaN heterojunction under hydrostatic pressure
流体静压力下应变闪锌矿（111）取向GaN/AlGaN量子阱中受屏蔽激子的结合能
Hydrostatic pressure effect on the electron mobility in a ZnSe/Znl-xCdxSe strained heterojunctio