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Raman spectroscopic study of the electrical properties of 6H–SiC crystals grown by hydrogen-as
  • ISSN号：0021-8979
  • 期刊名称：Journal of Applied Physics (IF2010: 2.079)
  • 时间：0
  • 页码：093519-093523
  • 语言：英文
  • 相关项目：沿非c面生长碳化硅单晶
作者： Yan Peng|Xiangang Xu|Xiaobo Hu|Yuqiang Gao|
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沿非c面生长碳化硅单晶
期刊论文 10
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