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新型Al组分渐变结构的N极性GaN基HEMT中二维电子气研究
  • ISSN号：1672-7126
  • 期刊名称：《真空科学与技术学报》
  • 时间：0
  • 分类：TN386[电子电信—物理电子学] TQ174.653.2[化学工程—陶瓷工业;化学工程—硅酸盐工业]
  • 作者机构：[1]National Key Laboratory of Application Specific Integrated Circuit (ASIC), Hebei Semiconductor Research Institute, Shijiazhuang 050051, China, [2]School of Physics, Shandong University, Jinan 250100, China
  • 相关基金：Project supported by the National Natural Science Foundation of China （Grant Nos. 61306113 and 11174182）.
作者： 王现彬[1,2], 王元刚[2], 房玉龙[2], 冯志红[2], 赵正平[1,2]
关键词： 异质结场效应晶体管, 温度变化率, 散射机制, ALN, GaN, 库仑场, 应变诱导, 极化, AlN/GaN, electron mobility, polarization Coulomb field scattering, polarization
中文摘要：

Corresponding author. E-mail： blueledviet@yahoo.com.cn

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期刊信息
  • 《真空科学与技术学报》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学技术协会
  • 主办单位:中国真空学会
  • 主编：李德杰
  • 地址：北京朝阳区建国路93号万达广场9号楼614室
  • 邮编：100022
  • 邮箱：cvs@chinesevacuum.com
  • 电话：010-58206280
  • 国际标准刊号：ISSN：1672-7126
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5177/TB
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:4421