位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
氮化硅介质中双层纳米硅薄膜的两
  • 期刊名称：物理学报 Vol.55（2006）6080-6084
  • 时间：0
  • 相关项目：基于单电子效应的室温硅基多量子点存储器
作者： 王久敏， 吴良才， 陈坤基， 宋
同期刊论文项目
基于单电子效应的室温硅基多量子点存储器
期刊论文 30 会议论文 4
同项目期刊论文
尺寸可控的纳米硅的生长模型和实验验证
氮化硅介质中双层纳米硅薄膜的两级电荷存储
激光干涉结晶法制备一维周期结构的纳米硅阵列
超薄硅基介质膜的制备技术与表征方法研究
Enhanced green to red luminesc
Fabrication of large-scale per
Size and morphology control of
激光干涉结晶法制备一维周期结构
Strong green-yellow electro- l
Electronic properties of nanoc
Pseudo nanocrystal silicon ind
Microstructure properties of n
尺寸可控的纳米硅的生长模型和实
Coupling induced subband struc
Coulomb blockade induced negat
Charge retention enhancement i
Oxygen induced strong green li
New self-limiting assembly mod
氨气预氮化制备超薄氮化硅薄膜及电学性能
基于直接胶体晶体刻蚀技术的高度有序纳米硅阵列的尺寸及形貌控制
a-Si:H/SiO2多层膜晶化过程中的发光机理