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a-Si:H/SiO2多层膜晶化过程中的发光机理
  • ISSN号：1674-4926
  • 期刊名称：《半导体学报：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：O484[理学—固体物理;理学—物理]
  • 作者机构：[1]南京大学固体微结构物理国家重点实验室,南京,210093 南京大学固体微结构物理国家重点实验室,南京,210093 南京大学固体微结构物理国家重点实验室,南京,210093 南京大学固体微结构物理国家重点实验室,南京,210093 南京大学固体微结构物理国家重点实验室,南京,210093 南京大学固体微结构物理国家重点实验室,南京,210093 南京大学固体微结构物理国家重点实验室,南京,210093 南京大学固体微结构物理国家重点实验室,南京,210093 南京大学固体微结构物理国家重点实验室,南京,210093 南京大学固体微结构物理国家重点实验室,南京,210093
  • 相关基金：国家自然科学基金(批准号:60508009,90301009,60471021,50472066,10574069),国家重点基础研究发展规划(批准号:2001CB610503)和江苏省自然科学基金(批准号:BK2004410)资助项目
作者： 马忠元[1], 韩培高[1], 李伟[1], 陈三[1], 钱波[1], 徐骏[1], 徐岭[1], 黄信凡[1], 陈坤基[1], 冯端[1]
关键词： a-Si:H/SiO2多层膜, nc-Si, 光致发光
中文摘要：

采用在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中淀积a-Si:H薄膜结合原位等离子体氧化的技术,制备了一系列不同a-Si:H子层厚度的a-Si:H/SiO2多层膜.通过对其进行三步热处理:脱氢、快速热退火及准静态退火,使a-Si:H/SiO2多层膜中a-Si:H层发生非晶态到晶态的相变,获得尺寸可控的纳米硅nc-Si/SiO2多层膜.结合Raman谱,FTIR谱和TEM测试,对退火过程中多层膜的光致发光性质进行跟踪研究,分析了a-Si:H/SiO2多层膜在各个热处理阶段发光机理的演变,讨论了a-Si:H/SiO2多层膜晶化为nc-Si/SiO2多层膜过程中,发光机制与微结构之间的相互联系.

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期刊信息
  • 《半导体学报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国电子学会 中国科学院半导体研究所
  • 主编：李树深
  • 地址：北京912信箱
  • 邮编：100083
  • 邮箱：cjs@semi.ac.cn
  • 电话：010-82304277
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-4926
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5781/TN
  • 邮发代号:2-184
  • 获奖情况:
  • 90年获中科院优秀期刊二等奖,92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署...,97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:7754