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Effect of interface states on the performance of GaAs p -i far-infrared detectors
  • 期刊名称:J. Vac. Sci. Technology B 18
  • 时间:0
  • 页码:597-602 (2000)
  • 语言:英文
  • 相关项目:新型同质结内发射远红外探测器的物理与器件研究
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