借助光致发光技术对n-GaAs同质结内发射远红外探测器结构进行了详细的辐射复合特性研究.根据发光特性和高密度理论计算,观察和确认了来自探测器发射层中的光致发光信号.提出了光生载流子转移模型,很好地解释了发射层中光致发光信号与温度和激发功率的依赖关系.根据得到的辐射复合特性,提出了进一步提高探测器工作温度的方案.