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Band Alignment and Band Gap Characterization of La2O3 Films on Si Substrates Grown by Radio Frequenc
  • ISSN号：0256-307X
  • 期刊名称：Chinese Physics Letters
  • 时间：2014.1.2
  • 页码：027702-027702
  • 相关项目：Ge衬底上氧化铒、氧化铥高K栅介质材料的制备及物理特性研究
作者： LIU Shi-Yan|TAN Yong-Sheng|CHen Jia-Jun|ZHU Yan-Yan|
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Ge衬底上氧化铒、氧化铥高K栅介质材料的制备及物理特性研究
期刊论文 9 著作 1
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期刊信息
  • 《中国物理快报：英文版》
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  • 主办单位:中国科学院物理研究所、中国物理学会
  • 主编：
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  • 国际标准刊号：ISSN：0256-307X
  • 国内统一刊号：ISSN：11-1959/O4
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 中国期刊方阵“双高”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,美国数学评论（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国剑桥科学文摘,美国科学引文索引（扩展库）,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,英国英国皇家化学学会文摘
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