欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
In?uence of annealing atmosphere on the structure, morphology and transmittance of N-incorporated Ga
ISSN号:0749-6036
期刊名称:Superlattices and Microstructures
时间:2013.5.5
页码:257-262
相关项目:HCl气体辅助生长GaN纳米线阵列及其物性分析
作者:
Rui Sun, Hua-Yu Zhang, Gui-Gen Wang, Jie-CaiHan,|
同期刊论文项目
HCl气体辅助生长GaN纳米线阵列及其物性分析
期刊论文 7
同项目期刊论文
Effect of thickness on the microstructure, surface morphology and optical properties of N-incorporat
GaN 纳米线生长的影响因素与机理分析
Facet growth of self-separated GaN layers through HVPE on large square-patterned template
Microstructure, surface morphology and optical properties of N-incorporated Ga2O3 thin ?lms on sapph
HCl气体辅助生长GaN纳米线阵列与机理研究
GaN纳米线生长的影响因素与机理分析