中文摘要：

一维GaN纳米结构兼具GaN材料的优势和低维的特性，在介观物理和纳米器件中具有独特的应用，正成为氮化物研究领域中一个新的热点。本项目将采用HCl气体辅助CVD的方法生长GaN纳米线阵列并对其物理性能展开研究。探索在不使用金属催化剂的条件下制备纯净的GaN纳米线，明确GaN纳米线结构（密度、径度、长度）与生长条件之间的关系，最终实现结构的自由调控。通过测量一维纳米线阵列的特性，建立位错变化模型，阐明HCl辅助生长GaN纳米线阵列的生长机理，揭示纯净高质量GaN纳米线阵列材料的制备规律，完善其关键的制备技术，为一维GaN纳米器件的研制和应用奠定基础。申请人自2004年在中国科学院开始，一直从事GaN材料生长及物性研究，特别对于GaN纳米线制备展开过研制工作，并取得了初步的结果，同时对于GaN纳米线的物理特性也有一定的研究基础。