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中文摘要：
采用在籽晶层与I层之间插入缓冲层的方法制备了一组微晶硅太阳电池,其结构式：AI/N层/I层/缓冲层/籽晶层/P层/Sn O2：Zn O/玻璃基底.通过测试表明,具有缓冲层的微晶硅电池的开路电压、短路电流.填充因子和转换效率明显好于无缓冲层的微晶硅电池,当1.6%硅烷浓度沉积籽晶层、3%硅烷浓度沉积缓冲层、5%硅烷浓度沉积I层时,获得微晶硅电池转换效率比无缓冲层高3.18%.
英文摘要：
A group of microcrystalline silicon solar cells w ith the buffer layer are fabricated.Their structure are the Glass / Sn O2： Zn O /P/seed /buffer/I/N /AI. The test showed that the open circuit voltage,short circuit current,fill factor and conversion efficiency of the microcrystalline silicon solar cells w ith buffer layer w as significantly better than no w ith buffer layer. When silane deposits on seed layer,buffer layer and I layer w ith the concentration of 1. 6%,3% and 5%respectively,the conversion efficiency of the microcrystalline silicon solar cell w ill be improved by3. 18%.
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