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InAs/GaAs quantum dot lasers grown by gas-source molecular-beam epitaxy
  • ISSN号：0022-0248
  • 期刊名称：Journal of Crystal Growth
  • 时间：0
  • 页码：3451-3454
  • 相关项目：GSMBE 1.55微米 InAs/InGaAsP 量子点激光器材料与器件
作者： H.D. Yang|Q. Gong|S.G. Li|C.F. Cao|C.F. Xu|P. Chen|S.L. Feng|
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GSMBE 1.55微米 InAs/InGaAsP 量子点激光器材料与器件
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