位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
External electric field effect on the hydrogenic donor impurity in zinc-blende InGaN/GaN cylindrical
  • ISSN号：0921-4526
  • 期刊名称：Physica B: Condensed Matter
  • 时间：0
  • 页码：3818-3821
  • 相关项目：GSMBE 1.55微米 InAs/InGaAsP 量子点激光器材料与器件
作者： Wang, Hailong|Jiang, Liming|Gong, Qian|Feng, Songlin|
同期刊论文项目
GSMBE 1.55微米 InAs/InGaAsP 量子点激光器材料与器件
期刊论文 25 会议论文 5 专利 3
同项目期刊论文
Quantum dot lasers grown by gas source molecular-beam epitaxy
InAs/InP(100) quantum dot laser with high wavelength stability
InAs／GaAs量子点激光器结温研究
InAs/GaAs quantum dot lasers grown by gas-source molecular-beam epitaxy
The I-V characteristics of InAs/GaAs quantum dot laser
Fabrication of Hinged Mirrors Using a Strain-Driven Self-Assembly Method on a GaAs Substrate
基于DMD的外腔量子点激光器性能研究
Two-color quantum dot laser with tunable wavelength gap
高性能InAs/GaAs量子点外腔激光器
基于椭偏光谱仪的石英晶体１３１０nm处双折射率的精密测量
气源分子束外延生长的InAs/InP (100)量子点激光器
Morphology and shape dependent characteristics of InAs/InP(100) quantum dot laser grown by gas sourc
基于ZigBee远程控制的激光光源系统
1.5mm腔长InAs/InP量子点激光器镜面外腔光谱特性研究
外腔反馈对量子点激光器输出特性的影响
外电场对InGaAsP/InP量子阱内激子结合能的影响
Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs量子阱中电子-LO声子的散射率
气源分子束外延生长的InAs/InP（100）量子点激光器
GaInAsP／InP阶梯量子阱中氢施主杂质束缚能
外加电场对GaN／AlxGa1-xN双量子阱中性施主束缚能的影响