欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
Investigation of GaAs Photoconductive Switch Irradiated by 1553nm Laser Pulse
ISSN号:0253-4177
期刊名称:半导体学报. 24(10) .(EI收录)
时间:0
作者或编辑:3448
第一作者所属机构:西安理工大学
页码:1016-1020,
语言:英文
相关项目:大功率超短电脉冲(ps)光电导开关微波源的研究
作者:
施卫|贾婉丽|
同期刊论文项目
大功率超短电脉冲(ps)光电导开关微波源的研究
期刊论文 9
同项目期刊论文
Monopole charge domain in the high gain galliumarsenide photoconductive switches
High Gain Lateral Semi-insulating GaAs Photoconductive Switch Triggered by 1064nm Laser Pulse
用红外脉冲激光触发半绝缘GaAs 光电导开关的研究
Time-dependent analysis of High Gain Triggering in Semi-insulating GaAs Photoconductive Switches
Optically Activated Charge Domain Model for High-gain GaAs Photoconductive
Terahertz generation from Si3N4 covered photoconductive dipole antenna
Photon-Activated Charge Domain in High-Gain Photoconductive Switches
半绝缘GaAs 光电导开关击穿特性研究