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Optically Activated Charge Domain Model for High-gain GaAs Photoconductive
  • ISSN号：0253-4177
  • 期刊名称：半导体学报 （EI收录）
  • 时间：0
  • 作者或编辑：3448
  • 第一作者所属机构：西安理工大学
  • 语言：英文
  • 相关项目：大功率超短电脉冲（ps）光电导开关微波源的研究
作者： 施卫|
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