位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Monopole charge domain in the high gain galliumarsenide photoconductive switches
  • ISSN号：0256-307X
  • 期刊名称：Chinese Physics Letters （SCI收录）
  • 时间：0
  • 作者或编辑：3448
  • 第一作者所属机构：西安理工大学
  • 页码：1119-1121
  • 语言：英文
  • 相关项目：大功率超短电脉冲（ps）光电导开关微波源的研究
作者： 施卫|陈二柱|张显斌|李琦|
同期刊论文项目
大功率超短电脉冲（ps）光电导开关微波源的研究
期刊论文 9
同项目期刊论文
High Gain Lateral Semi-insulating GaAs Photoconductive Switch Triggered by 1064nm Laser Pulse
用红外脉冲激光触发半绝缘GaAs 光电导开关的研究
Time-dependent analysis of High Gain Triggering in Semi-insulating GaAs Photoconductive Switches
Optically Activated Charge Domain Model for High-gain GaAs Photoconductive
Terahertz generation from Si3N4 covered photoconductive dipole antenna
Photon-Activated Charge Domain in High-Gain Photoconductive Switches
Investigation of GaAs Photoconductive Switch Irradiated by 1553nm Laser Pulse
半绝缘GaAs 光电导开关击穿特性研究
期刊信息
  • 《中国物理快报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国科学院物理研究所、中国物理学会
  • 主编：
  • 地址：北京中关村中国科学院物理研究所内（北京603信箱《中国物理快报》编辑部）
  • 邮编：100080
  • 邮箱：cpl@aphy.iphy.ac.cn
  • 电话：010-82649490 82649024
  • 国际标准刊号：ISSN：0256-307X
  • 国内统一刊号：ISSN：11-1959/O4
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 中国期刊方阵“双高”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,美国数学评论（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国剑桥科学文摘,美国科学引文索引（扩展库）,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,英国英国皇家化学学会文摘
  • 被引量:190