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裂纹或气泡对熔石英损伤修复坑场调制的近场模拟
  • ISSN号:1000-3290
  • 期刊名称:《物理学报》
  • 时间:0
  • 分类:O433.54[机械工程—光学工程;理学—光学;理学—物理]
  • 作者机构:[1]电子科技大学物理电子学院,成都610054, [2]中国工程物理研究院激光聚变研究中心,绵阳621900
  • 相关基金:国家自然科学基金青年科学基金(批准号:10904008),和国家自然科学基金委员会一中国工程物理研究院联合基金(批准号:11076008)和中央高校基本科研基金(批准号:ZYGX2009X007,ZYGX2010J045,ZYGX2011J043)资助的课题.
中文摘要:

建立了含有裂纹或气泡的高斯型修复坑的3维模型,用3维时域有限差分方法研究了熔石英后表面该类缺陷对355nm入射激光的近场调制.研究表明,裂纹的调制明显大于气泡或者高斯坑本身,因此为了抑制修复元件的初始损伤,应尽量避免任何未修复的裂纹存在,尤其是与入射光呈夹角约25。的裂纹,同时应避免尺寸大于5A的气泡存在.当裂纹或气泡位于近表面层3入以内且靠近修复坑环边缘时,对场的调制最明显.随着侧移的增加,近表面区缺陷诱导场叠加,强点总数涨落较大且易形成极大峰值,特别是含有裂纹的情形;远表面区强点总数逐渐增大并趋于稳定.随着嵌深的增加,强点的数目大体呈减弱趋势,当嵌深大于3A时,逐渐趋于平缓振荡.如果裂纹或气泡位于坑点正下方几个波长内,激光辐照下其效果相当于延长了高斯坑的深度.

英文摘要:

Three-dimensional (3D) model of Gaussian repaired site contained crack or bubble is establishd, and 3D finite-difference timedomain method is used to simulate near-field modulation of 355 nm laser incidence by those defects on fused silica rear-surface. The results show that we should avoid any unrepaired cracks, especially cracks with incident angle of 65~, and the size of bubbles should be less than 5 ,k. All of the above can contribute to the weakening of the modulation around repaired pit. When crack or bubble distributes in the near-surface area (〈 3 ,k) and close to the edge of pit ring, the field modulation is obvious. With the increasing of lateral gap, there will be a maximum due to electric field fluctuations near the surface area, especially when cracks are contained. And the electric field gradually stabilized when lateral gap is far from the surface. As the vertical gap increases, the number of large electric field grid points decreases, and stabilized oscillation emerges when vertical gap is larger than 3 ),. If cracks or bubbles are located below Gauss repaired sites within a few wavelengths, its depth seems to be enlarged under irradiation.

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期刊信息
  • 《物理学报》
  • 北大核心期刊(2011版)
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会 中国科学院物理研究所
  • 主编:欧阳钟灿
  • 地址:北京603信箱(中国科学院物理研究所)
  • 邮编:100190
  • 邮箱:apsoffice@iphy.ac.cn
  • 电话:010-82649026
  • 国际标准刊号:ISSN:1000-3290
  • 国内统一刊号:ISSN:11-1958/O4
  • 邮发代号:2-425
  • 获奖情况:
  • 1999年首届国家期刊奖,2000年中科院优秀期刊特等奖,2001年科技期刊最高方阵队双高期刊居中国期刊第12位
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国科学引文索引(扩展库),英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:49876