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nc—Ge／Si岛基光子晶体单点缺陷腔的数值模拟与分析
  • ISSN号：1674-4926
  • 期刊名称：《半导体学报：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN713[电子电信—电路与系统]
  • 作者机构：[1]中国科学院半导体研究所,北京100083
  • 相关基金：国家自然科学基金资助项目（批准号：60336010,60537010）
作者： 唐海侠[1], 王启明[1]
关键词： 光子晶体, 单缺陷腔, nc-Ge/Si岛, photonic crystals single-defect cavity, nc-Ge/Si islands
中文摘要：

阐述了利用光子晶体单点缺陷微腔来提高Ge／Si纳米岛发光效率的机理．通过3DFDTD方法计算出在平板厚度为300nm时，谐振波长随a和r／a变化的规律，即当给定r／a，h时，波长随晶格常数成次线性增加；当给定a，h时，波长随r／a的增加而减小．并从理论上给予分析．

英文摘要：

The principle of the enhancement of nc-Ge/Si islands by a photonic crystal single-defect cavity is explained. For a photonic crystal slab with a thickness of 300nm,the resonant wavelength of a photonic crystal single-defect cavity based on Ge/Si islands as a function of a and r/a is calculated with the 3D FDTD method and is analyzed theoretically. For fixed r/a and h ,the wavelength increases sub-linearly with the increase of lattice constant. For fixed a and h ,the wavelength decreases linearly with the increase of r/a.

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期刊信息
  • 《半导体学报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国电子学会 中国科学院半导体研究所
  • 主编：李树深
  • 地址：北京912信箱
  • 邮编：100083
  • 邮箱：cjs@semi.ac.cn
  • 电话：010-82304277
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-4926
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5781/TN
  • 邮发代号:2-184
  • 获奖情况:
  • 90年获中科院优秀期刊二等奖,92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署...,97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:7754