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高质量二维光子晶体结构刻蚀掩膜版的制作方法
  • ISSN号：1674-4926
  • 期刊名称：《半导体学报：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN305.7[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室,北京100083, [2]中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心,北京100083
  • 相关基金：国家自然科学基金资助项目（批准号：60345008,60377011,60537010）.致谢 感谢刘剑老师阅读手稿并提出有益的建议.
作者： 杜伟[1], 许兴胜[1], 韩伟华[2], 王春霞[1], 张杨[2], 杨富华[2], 陈弘达[1]
关键词： 光子晶体, 电子束曝光, PMMA掩膜, photonic crystal, electron-beam lithography, PMMA mask
中文摘要：

结合制作光子晶体结构的具体要求，研究了电子束曝光得到的电子束胶上（GaAs衬底）随实验条件变化的图形。结果表明，胶的厚度、曝光剂量、显影／定影时间等参数对图形的质量有重要影响．通过合理优化这些参数，我们得到了高质量的掩膜图形．

英文摘要：

The influence of different fabrication parameters on polymethyl methacrylate （PMMA） etching mask for twodimensional photonic crystal structures are studied. The results show that high quality PMMA etching mask can be realized by optimizing parameters such as PMMA thickness,electron beam exposure dose, developing time,and fixation time.

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期刊信息
  • 《半导体学报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国电子学会 中国科学院半导体研究所
  • 主编：李树深
  • 地址：北京912信箱
  • 邮编：100083
  • 邮箱：cjs@semi.ac.cn
  • 电话：010-82304277
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-4926
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5781/TN
  • 邮发代号:2-184
  • 获奖情况:
  • 90年获中科院优秀期刊二等奖,92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署...,97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:7754