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C 注入 GaN 光致发光和微区拉曼散射的研究
  • ISSN号：0253-3219
  • 期刊名称：核技术
  • 时间：0
  • 页码：1-5
  • 语言：中文
  • 相关项目：低速高电荷态离子束辐照引起的n型氮化镓晶体薄膜发光特性变化研究
作者： 张利民|刘正民|张小东|
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期刊论文 12
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期刊信息
  • 《核技术》
  • 北大核心期刊（2011版）
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国科学院上海应用物理研究所 中国核学会
  • 主编：朱德彰
  • 地址：上海800-204信箱
  • 邮编：201800
  • 邮箱：LHB@sinap.ac.cn
  • 电话：
  • 国际标准刊号：ISSN：0253-3219
  • 国内统一刊号：ISSN：31-1342/TL
  • 邮发代号:4-243
  • 获奖情况:
  • 2000年中科院优秀期刊奖,中国中文核心期刊,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:7912