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Effects of ion implantation on yellow luminescence in unintentional doped n-type GaN
  • ISSN号：1895-1082
  • 期刊名称：Central European Journal of Physics
  • 时间：0
  • 页码：283-288
  • 语言：英文
  • 相关项目：低速高电荷态离子束辐照引起的n型氮化镓晶体薄膜发光特性变化研究
作者： Ge, Qing|Liu, Zhengmin|Wang, WenXiu|Zhang, Limin|Yang, Zhen|You, Wei|Zhang, Xiaodong|
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期刊论文 12
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