位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Broadband yellow luminescence in the photoluminescence spectra of n-GaN implanted by the different i
  • ISSN号：1000-3290
  • 期刊名称：物理学报
  • 时间：0
  • 页码：5487-5493
  • 语言：中文
  • 相关项目：低速高电荷态离子束辐照引起的n型氮化镓晶体薄膜发光特性变化研究
作者： Liu Zheng-Min|Li Gong-Ping|Zhang Li-Min|Lin De-Xu|Zhang Yu|Zhang Xiao-Dong|You Wei|
同期刊论文项目
低速高电荷态离子束辐照引起的n型氮化镓晶体薄膜发光特性变化研究
期刊论文 12
同项目期刊论文
Yellow and red luminescence in Mg-implanted GaN epitaxial films
C 注入 GaN 光致发光和微区拉曼散射的研究
N、O、Ga、Mg和Si离子注入n型GaN样品的光致发光谱中蓝光发射带的研究
The time and energy signals, counter plateau, energy resolution and gas gains performances of a new
Effects of different ions implantation on yellow luminescence from GaN
Study on the count plateau, gas gain and energy resolution of the Micromegas detectors
Effects of ion implantation on yellow luminescence in unintentional doped n-type GaN
O、C离子注入n型GaN的黄光发射研究
C注入GaN光致发光和微区拉曼散射的研究
84.5MeV^12C^4+离子诱发金属靶原子发射的Kβ与Kα-X射线强度比值的研究
期刊信息
  • 《物理学报》
  • 北大核心期刊（2011版）
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会 中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京603信箱(中国科学院物理研究所)
  • 邮编：100190
  • 邮箱：apsoffice@iphy.ac.cn
  • 电话：010-82649026
  • 国际标准刊号：ISSN：1000-3290
  • 国内统一刊号：ISSN：11-1958/O4
  • 邮发代号:2-425
  • 获奖情况:
  • 1999年首届国家期刊奖,2000年中科院优秀期刊特等奖,2001年科技期刊最高方阵队双高期刊居中国期刊第12位
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国科学引文索引（扩展库）,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:49876