中文摘要：

测量了不同入射能量（动能）和电荷态的Ne高电荷态离子以45度的角度辐照n型GaN晶体薄膜的发射光谱。通过对这些发射光谱的分析，得到了不同能量和电荷态诱发的晶体薄膜晶格原子的发射光谱的特征发射峰。通过分析得到不同的电荷态以及不同入射离子动能对该特征谱线发射强度的影响较小的结论。除此，本项目还系统的研究了不同离子（N、C、O、Mg、Si、Al、Be、Ga、Mg+Si、C+Si、C+O和C+Mg）和不同剂量（10e13，10e14，10e15和10e16）的注入对n型GaN晶体薄膜光学特性的影响。通过系统的分析注入前后以及退火前后的XRD、ARTR-FTIR谱、拉曼散射谱和光致发光谱，得出黄光发射带主要起因于带隙间杂质能级间的跃迁，是典型的DsAdP跃迁，即浅施主向深受主的跃迁；蓝光发射带也是浅施主向深受主的跃迁,和黄光发射的不同点就是其浅施主和深受主的能级间隙较前者大，从而产生更短波长的光发射；有关红光发射带得到结论是外界的干扰极易消除该发射带，可见导致该发射的施受主缺陷较为不稳定，极易受外界的干扰而消失。