采用柱状畴的理论模型,研究了用原子力显微镜的探针在外延Pb(Zr0.2Ti0.8)O3薄膜中形成的纳米畴的生长与所加脉冲的关系。指出在PZT薄膜中畴的半径随所加脉冲的持续时间的增加以对数方式增大,随脉冲电压的增加而线性增大。理论计算与试验结果相吻合。