研究了 Nb 掺杂对 SnO2-Zn2 SnO4系压敏材料电学性质的影响,研究结果表明:当 Nb2 O5的含量(摩尔分数)从0.05%增加到0.80%时,压敏电阻的压敏电压从28 V/mm 增加到530 V/mm;对晶界势垒高度的分析表明:晶粒尺寸的迅速减小是样品压敏电压增高、电阻率增大的主要原因。本文对 Nb 含量增加引起晶粒减小的原因进行了解释。