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Crosstalk analysis of silicon-on-insulator nanowire-arrayed waveguide grating
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：《中国物理B：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN929.11[电子电信—通信与信息系统;电子电信—信息与通信工程] TN386[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China
  • 相关基金：Project supported by the National High Technology Research and Development Program of China （Grant No. 2015AA016902）, the National Natural Science Foundation of China （Grant Nos. 61274047, 61435013, 61307034, and 61405188）, and the National Key Research and Development Program of China （Grant No. 2016YFB0402504）.
作者： 李凯丽, 安俊明, 张家顺, 王玥, 王亮亮, 李建光, 吴远大, 尹小杰, 胡雄伟
关键词： 阵列波导光栅, 绝缘体上硅, 串扰分析, 硅纳米线, 等离子体刻蚀, 传递函数法, 深紫外光刻, 影响因素, SOI, nanowire AWG, crosstalk, phase errors
中文摘要：

Corresponding author. E-mail： junming@semi.ac.cn

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期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京 中关村 中国科学院物理研究所内
  • 邮编：100080
  • 邮箱：
  • 电话：010-82649026 82649519
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:406