位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
He and H sequential implantation induced surface blistering and exfoliation of Si covered with oxide
  • ISSN号：1674-1137
  • 期刊名称：Chinese Physics C
  • 时间：0
  • 页码：1-6
  • 相关项目：He和H离子注入Si基材料引起的表面剥离及机理研究
作者： Zhuo Wang|Yujie Gao|Mengkai Li|Fei Zhu|Dacheng Zhang|Changlong Liu|
同期刊论文项目
He和H离子注入Si基材料引起的表面剥离及机理研究
期刊论文 12 会议论文 7
同项目期刊论文
Toward uniform ZnO nanoparticles embedded in SiO2 by post Xe irradiation
Structural and optical properties of Au-implanted ZnO films
(101)-oriented ZnO nanoparticles fabricated in Si (100) by Zn ion implantation and thermal oxidation
Thermal evolution and optical properties of Cu nanoparticles in SiO2 by ion implantation
Creation of Si nanocrystals from SiO2/Si by He and H ion implantation
Surface damage in silicon co-implanted with He and H ions: effect of H implant energy
Electronic structure and optical transition in heavy metal doped ZnO by first-principle calculations
Photoluminescence and reflectivity of polymethylmethacrylate implanted by low-energy carbon ions at
Surface damage versus defect microstructures in He and H ion co-implanted Si3N4/Si
B和H离子顺次注入单晶Si引起的缺陷及其热演变
期刊信息
  • 《中国物理C：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会 中国科学院高能物理研究所 中国科学院近代物理研究所
  • 主编：王贻芳
  • 地址：北京市玉泉路19号（乙）
  • 邮编：100049
  • 邮箱：cpc@mail.ihep.ac.cn
  • 电话：010-88235947
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1137
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5641/O4
  • 邮发代号:2-522
  • 获奖情况:
  • 2000年获中国科学院优秀期刊评比一等奖,中国期刊方阵“双百”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国剑桥科学文摘,美国科学引文索引（扩展库）,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,英国英国皇家化学学会文摘
  • 被引量:189