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Correlation on GaN epilayer quality and strain in GaN-based LEDs grown on 4-in. Si(111) substrate
  • ISSN号:0749-6036
  • 期刊名称:Superlattices and Microstructures
  • 时间:2015.9
  • 页码:798-805
  • 相关项目:二氧化钒基核壳纳米结构可控制备及其变温光电性能研究
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