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基于Pd/SWNT/Al结构的场效应晶体管的研究
  • ISSN号:1001-5868
  • 期刊名称:半导体光电
  • 时间:2015.6.15
  • 页码:435-438
  • 分类:TN929.11[电子电信—通信与信息系统;电子电信—信息与通信工程]
  • 作者机构:[1]上海交通大学电子信息与电气工程学院微纳电子学系,薄膜与微细技术教育部重点实验室,微米/纳米加工技术国家级重点实验室,上海200240
  • 相关基金:国家自然科学基金资助项目(61177052,60807008,51272155); 全国优秀博士学位论文作者专项资金资助项目(201154); 教育部新世纪优秀人才支持计划项目(NCET-11-0319); 教育部霍英东青年教师基金项目(131064)
  • 相关项目:基于定向碳纳米管薄膜的分子内p-i-n结太阳能光伏电池研究
中文摘要:

碳纳米管因具有良好的物理机械性能而得到广泛的研究,其最重要的应用之一是构建场效应晶体管(FET)。文章提出并研究了一种非对称接触的单壁碳纳米管场效应晶体管(SWNT-FET),并对其电学特性进行了表征。在该器件中,SWNT被作为FET的沟道,两种不同功函数的金属被用来与SWNT形成肖特基接触;SWNT一端与低功函数金属Al形成源极,另一端与高功函数金属Pd形成漏极。该类器件可应用于下一代纳米集成电路中。

英文摘要:

Due to its excellent physical and chemical properties,carbon nanotubes(CNTs)have been widely studied and applied in various fields.One of the most important applications for CNTs is to construct the electronic and photoelectric devices.A CNT field-effect transistor with asymmetric contacts is studied in this paper.In the device,individual single-walled CNT is used as the channel,which forms the asymmetrical Schottky contacts with the low work-function metal(aluminum)and the high work-function metal(palladium),respectively.This device is promising to be used in next-generation integrated circuit.

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期刊信息
  • 《半导体光电》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:信息产业部
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第四十四研究所(重庆光电技术研究所)
  • 主编:江永清
  • 地址:重庆市南岸区南坪花园路14号
  • 邮编:400060
  • 邮箱:soe@163.net
  • 电话:023-65860286
  • 国际标准刊号:ISSN:1001-5868
  • 国内统一刊号:ISSN:50-1092/TN
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 重庆市首届十佳期刊称号,1999年,信息产业部1999-2000年度优秀电子期刊称号
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:5924