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纳米双栅MOS器件的二维量子模拟
  • 期刊名称:固体电子学研究与进展
  • 时间:0
  • 页码:37-40
  • 语言:中文
  • 分类:TN431.2[电子电信—微电子学与固体电子学]
  • 作者机构:[1]武汉大学计算机学院,武汉430072, [2]武汉大学微电子与信息技术研究院,武汉430072, [3]广州大学计算机科学与教育软件学院,广州510006
  • 相关基金:国家杰出青年科学基金资助项目(60788402)
  • 相关项目:集成电路设计(包括CAD)
中文摘要:

三维芯片由于其集成度高、功耗小、性能好等优点成为未来芯片制造的一种趋势,其制造成本问题成为该技术是否有应用前景的关键。分析了三维芯片的制造成本模型,并通过实验数据得到了三维芯片的成本最优划分方式;然后对多核处理器的二维芯片和三维芯片制造成本进行了对比,证明了在核数较大的情况下三维芯片制造成本的优势,说明三维芯片在未来芯片门数越来越多的情况下有很好的应用前景

英文摘要:

Merits of three-dimensional(3D) integration offers a technology that meets the requirements of the current trend in many-core processors.However,cost is always the dominant factor of adoption of this new technology.After it implemented introduction of a fabrication cost model which evaluated 2D,homogeneous 3D and heterogeneous 3D architectures in some designs.The fabrication costs of these designs and drawn a conclusion that when the number of gates was large,3D implementations were more and more cost-efficient than the 2D baseline with the increase of gates

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