随着集成电路尺寸进入纳米尺度,互连线效应及量子效应日趋重要,本课题组在这些方面取得如下研究成果1)提出了基于神经网络技术的系统、广义、灵活的快速高效建模方法;2)围绕器件集约模型,提出了对称及非对称双栅MOSFET基于表面势的高阶解析模型;在量子数值模型中引入了一种快速迭代算法,并研究了基于格林函数法的量子模拟流程中的高阶效应; 3)从电磁波反射理论出发引入了耦合分布式电路的去耦合方法,为大规模耦合互连线时序仿真提供解决方案;提出了适用于参数化广义曲面四边形表面的奇异值终止方法,解决了高阶矩量法在互连参数提取中的奇异值积分问题;4)针对互连线的频变参数提取,提出了高阶LOD-FDTD方法和数值色散控制的优化方法,并在高阶差分格式中引入自由系数以控制和调整数值色散特性进一步减小数值色散误差的;5)首次深入研究了多壁碳纳米管互连线中的缓冲器插入问题,并提出多壁碳纳米管互连线解析时延和串扰噪声估算模型;6)提出了一种薄膜部分绝缘层上硅LDMOSFE以提高击穿电压,并显著抑制扭曲效应;提出了一种埋氧层上制备N型埋层的PSOI LDMOSFET以提高击穿电压,并降低导通电阻。
英文主题词IC Interconnects; parasitic extraction; signal integrity analysis; full-wave electromagnetic simulation; quatumn simulation, nanoscale devices.