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AlGaN/GaN HEMTs on 4-Inch Silicon Substrates in the Presence of 2.7-<span>μ</span>m-Thic
  • ISSN号：0256-307X
  • 期刊名称：Chinese Physics Letters
  • 时间：2013.12.26
  • 页码：037201-1-037201-4
  • 相关项目：Si基GaN薄膜应力与微结构缺陷的关系研究
作者： YU Xin-Xin|NI Jin-Yu|LI Zhong-Hui|KONG Cen|ZHOU Jian-Jun|DONG Xun|PAN Lei|KONG Yue-Chan|CHEN Tang-Sheng|
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期刊信息
  • 《中国物理快报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国科学院物理研究所、中国物理学会
  • 主编：
  • 地址：北京中关村中国科学院物理研究所内（北京603信箱《中国物理快报》编辑部）
  • 邮编：100080
  • 邮箱：cpl@aphy.iphy.ac.cn
  • 电话：010-82649490 82649024
  • 国际标准刊号：ISSN：0256-307X
  • 国内统一刊号：ISSN：11-1959/O4
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 中国期刊方阵“双高”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,美国数学评论（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国剑桥科学文摘,美国科学引文索引（扩展库）,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,英国英国皇家化学学会文摘
  • 被引量:190