位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Reduction in leakage current in AlGaN/GaN HEMT with three Al-containing step-graded AlGaN buffer lay
  • ISSN号：0021-4922
  • 期刊名称：Japanese Journal of Applied Physics
  • 时间：2014.4.3
  • 页码：051001-1-051001-4
  • 相关项目：Si基GaN薄膜应力与微结构缺陷的关系研究
作者： Xinxin Yu|Jinyu Ni|Zhonghui Li|Jianjun Zhou|Cen Kong|
同期刊论文项目
Si基GaN薄膜应力与微结构缺陷的关系研究
期刊论文 25 会议论文 4
同项目期刊论文
AlGaN/GaN/AlGaN双异质结材料生长及性质研究
高耐压Si基GaN功率电子器件
76.2mm Si基AlGaN/GaN HEMT
MOCVD法生长InAlN材料及其微结构特性研究
AlGaN/GaN HEMTs on 4-Inch Silicon Substrates in the Presence of 2.7-<span>μ</span>m-Thic
GaN HFET沟道层中的慢输运电子态和射频电流崩塌
Si基GaN材料寄生导电层的研究
含有Al组分阶变AlGaN过渡层的Si基AlGaN/GaN HEMT
Si基GaN HEMT低温欧姆接触工艺研究
利用低温插入层改善GaN外延层晶体质量研究
低温GaN插入层对AlGaN/GaN二维电子气特性的改善
High-performance enhancement-mode AlGaN/GaN MOS-HEMTs with fluorinated stack gate dielectrics and thin barrier layer
Thin-barrier enhancement-mode AlGaN/GaN MIS-HEMT using ALD Al2O3 as gate insulator
GaN HFET的大信号射频工作模型
Si基GaNHEMT低温欧姆接触工艺研究
GaN HFET的大信号射频工作模型（续）
GaN HFET沟道层中的慢输运电子态和射频电流崩塌（续）
含有Al组分阶变AlGaN过渡层的Si基AlGaN／GaNHEMT
用异质结构控制GaN阴极电子发射