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Fast pore etching on high resistivity n-type silicon via photoelectrochemistry
ISSN号:1674-1056
期刊名称:Chinese Physics B
时间:0
页码:664-670
语言:英文
相关项目:基于简并-解并原理的自参比高灵敏度生化检测微陀螺
作者:
Bao Xiao-Qing|Li Jin-Peng| Jiao Ji-Wei|Zhang Sheng|Ge Dao-Han|
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Fast pore etching on high resistivity n-type silicon via photoelectrochemistry
期刊信息
《中国物理B:英文版》
中国科技核心期刊
主管单位:中国科学院
主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
主编:欧阳钟灿
地址:北京 中关村 中国科学院物理研究所内
邮编:100080
邮箱:
电话:010-82649026 82649519
国际标准刊号:ISSN:1674-1056
国内统一刊号:ISSN:11-5639/O4
邮发代号:
获奖情况:
国内外数据库收录:
被引量:406