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Fast pore etching on high resistivity n-type silicon via photoelectrochemistry
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：《中国物理B：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：O47[理学—半导体物理;理学—物理]
  • 作者机构：[1]State Key Laboratories of Transducer Technology, National Key Laboratories of Microsystem Technology, Shanghai Institute of Microsystem and Information, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China, [2]Graduate School of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China
  • 相关基金：Project supported by Chinese National ＇863＇ Project （Grant No 2006AA04Z312） and ＇973＇ Project （Grant No 2006CB300403） and the National Natural Science Foundation of China （Grant No 60772030）.
作者： 包晓清[1,2], 葛道晗[1,2], 张圣[1,2], 李金鹏[1,2], 周萍[1], 焦继伟[1], 王跃林[1]
关键词： 高速动能弹侵彻硬目标, SCR, 化学汽相沉积, 半导体物理学, pore density, SCR width, H-passivation, current-burst-model, breakdown mechanism
中文摘要：

Corresponding author. E-mail： jiaojw@mail.sim.ac.cn

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期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京 中关村 中国科学院物理研究所内
  • 邮编：100080
  • 邮箱：
  • 电话：010-82649026 82649519
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
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  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:406