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用于MEMS惯性器件的低噪声读出电路设计
  • ISSN号:1003-353X
  • 期刊名称:《半导体技术》
  • 时间:0
  • 分类:TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]
  • 作者机构:[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室,上海200050, [2]中国科学院研究生院,北京100049
  • 相关基金:国家自然科学基金资助项目(60772030)
中文摘要:

给出了一种用于MEMS惯性器件的低噪声读出电路设计,针对MEMS惯性器件大多采用电容量输出等特点,设计了一个低噪声运算放大器,利用该运放,设计了一种基于开关电容的电荷转移电路来将电容量转换为电压量,以便后续电路处理。采用了相关双采样(CDS)技术,较大地减少了电路和MEMS惯性器件的1/f噪声、热噪声,抑制了零漂。采用HHNEC 0.35μmCMOS工艺制造,面积为1 mm×2 mm,与MEMS器件封装在一起,并进行了实际测试,结果表明,该读出电路基本满足要求,并具有较低的噪声。

英文摘要:

A low-noise readout circuit was presented for MEMS inertial devices. A low-noise opamp was designed according to the characteristics of most MEMS inertial devices including capacitance output etc. And a charge transfer circuit based on switched-capacitors was designed to convert the capacitance to voltage for further processing. A correlated double sampling (CDS) technique was adopted to reduce the l/f noise, thermal noise and suppress the zero-drift of the circuit and the MEMS inertial device. The chip designed measures 1 mm - 2 mm and was fabricated in HHNEC 0.35 μm CMOS process. The chip was packaged with the MEMS device together in one package. Experiments are taken to test the circuit, and the results show that it can satisfy the general specification required by the MEMS device with a lower noise.

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期刊信息
  • 《半导体技术》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 主编:赵小玲
  • 地址:石家庄179信箱46分箱
  • 邮编:050051
  • 邮箱:informax@heinfo.net
  • 电话:0311-87091339
  • 国际标准刊号:ISSN:1003-353X
  • 国内统一刊号:ISSN:13-1109/TN
  • 邮发代号:18-65
  • 获奖情况:
  • 中文核心期刊,中国科技论文统计用刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘(网络版),美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:6070