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Influence of preparing process on total-dose radiation response of high-k Hf-based gate dielectrics
  • ISSN号：0040-6090
  • 期刊名称：Thin Solid Films
  • 时间：0
  • 页码：465-467
  • 语言：英文
  • 相关项目：HfSiON栅介质薄膜抗电离辐射机理及加固技术研究
作者： Yu, Yuehui|Shen, Dashen|Zhang, Zhengxuan|Wang, Xi|Zhang, Enxia|Xing, Yumei|Song, Zhaorui|Cheng, Xinhong|
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