位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Al2O3 /NbAlO/Al2O3 sandwich gate dielectric film on InP
  • ISSN号：0003-6951
  • 期刊名称：Applied Physics Letters
  • 时间：0
  • 页码：2886-2892
  • 语言：英文
  • 相关项目：HfSiON栅介质薄膜抗电离辐射机理及加固技术研究
作者： 俞跃辉|
同期刊论文项目
HfSiON栅介质薄膜抗电离辐射机理及加固技术研究
期刊论文 6
同项目期刊论文
Influence of preparing process on total-dose radiation response of high-k Hf-based gate dielectrics
Characterization of gadolinium oxide film by pulse laser deposition
The properties of high-k gate dielectric films deposited on HRSOI
反转胶lift - Off工艺制备堆栈电感
薄膜SOI上大于600 V LDMOS器件的研制