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The properties of high-k gate dielectric films deposited on HRSOI
  • ISSN号：0167-9317
  • 期刊名称：Microelectronic Engineering
  • 时间：0
  • 页码：2404-2407
  • 语言：英文
  • 相关项目：HfSiON栅介质薄膜抗电离辐射机理及加固技术研究
作者： He, Dawei|Zhao, Qingtai|Shen, DaShen|Yu, Yuehui|Xu, Dapeng|Song, Zhaorui|Cheng, Xinhong|
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