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Effects of the intrinsic layer width on the band-to-band tunneling current in p-i-n GaN-based avalan
  • ISSN号：0268-1242
  • 期刊名称：Semiconductor Science and Technology
  • 时间：0
  • 页码：095006-1-095006-5
  • 语言：英文
  • 相关项目：基于传感器的紫外辐射定标及器件光电等效机理研究
作者： Zhang Wenjing|Li Chao|Wang Ling|Bao Xichang|
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