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电沉积硅烷分子印迹膜修饰电极的制备及其应用
  • 期刊名称:电化学,14(2),130-134,2008
  • 时间:0
  • 分类:O646[理学—物理化学;理学—化学]
  • 作者机构:[1]上海师范大学生命与环境科学学院化学系,上海200234
  • 相关基金:国家自然科学基金(20503016)、上海市科委启明星计划(07QA14044)资助
  • 相关项目:功能化室温离子液体中金属卟啉与气体分子的相互作用规律
中文摘要:

以3,4-二羟基苯甲酸作模板分子,在玻碳电极表面恒电位沉积四甲氧基硅烷和苯基三甲氧基硅烷,经无水乙醇将模板分子洗脱,制得硅溶胶-凝胶分子印迹膜电极.该电极能有效地抑制电化学氧化过程中3,4-二羟基苯甲酸的电聚合及其同分异构体2,4-二羟基苯甲酸对测定的干扰.实验表明,该修饰电极对3,4-二羟基苯甲酸测定的线性浓度范围为1.0×10^-5-8.0×10^-4mol·L^-1,浓度检测下限为5.0×10^-6mol·L^-1.

英文摘要:

The sol-gel molecularly imprinted films modified glassy carbon electrode was prepared by electrodeposition of tetramethoxysilane (TMOS) and phenyltrimethoxysilane (PTMOS) with chronoamperometry in the presence of template molecules 3,4-dihydroxybenzoic acid (3,4-DHBA) followed by extraction with ethanol. The modified electrode could successfully avoid the polymerization of oxidized 3,4-DHBA and the interference of 2,4-DHBA. A linear Concentration response curve was obtained from 1.0 × 10^-5 mol · L^-1 to 8.0 ×10^ -4 mol · L^-1, with the detected concentration limit of 5.0 × 10^-6 mol · L^-1.

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