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以AlN为绝缘埋层的新型SOI材料探索
项目名称:以AlN为绝缘埋层的新型SOI材料探索
项目类别:面上项目
批准号:69976034
项目来源:国家自然科学基金
研究期限:1900-01-01-1900-01-01
项目负责人:林成鲁
依托单位:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
批准年度:1999
成果综合统计
成果类型
数量
期刊论文
会议论文
专利
获奖
著作
1
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期刊论文
制备AlN薄膜为绝缘埋层的新型SOI材料
林成鲁的项目
SiGe-OI新材料的研究
期刊论文 13
会议论文 5
获奖 4
硅上β-FeSi2的超高真空镀膜外延及其光学性质研究
期刊论文 4
LiTaO3/Si结构的智能剥离(Smart-cut)研究
期刊论文 2
硅中H+,He+离子注入引起的纳米孔层及其应用探索
BF+2分子离子注入硅辐射损伤的反常行为