位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
两步法快速退火对PSTT5铁电薄膜性能的影响
  • ISSN号：1004-2474
  • 期刊名称：压电与声光
  • 时间：0
  • 页码：718-720+727
  • 分类：TN384[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]四川大学材料科学与工程学院,四川成都610065, [2]绵阳师范学院物理与电子信息工程系,四川绵阳621000
  • 相关基金：国家自然科学基金资助项目（60771016）
  • 相关项目：热释电薄膜型非制冷红外焦平面阵列若干关键技术研究
作者： 孙宇澄|李雪冬|周圆苑|朱基亮|肖定全|朱建国|SUN Yu-cheng1,LI Xue-dong1,2,ZHOU Yuan-yuan1,ZHU J|2.Dept.of Physics and Electric Information Enginee|
关键词： 射频磁控溅射, 0.95Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-0.05PbTiO3(PSTT5), 薄膜, 快速退火(RTA), RF magnetron sputtering, PSTT5, thin films, RTA
中文摘要：

采用射频磁控溅射法在LSCO／Pt／Ti／SiO2／Si（100）衬底上制备了0．95Pb（Sc0.5Ta0.5）O3-0．05PbTiO3（PSTT5）铁电薄膜。研究了不同的快速退火（RTA）工艺对PSTT5薄膜的结晶性能和铁电性能的影响。实验结果表明，经两步法快速退火，PSTT5薄膜具有完全钙钛矿结构且呈（220）取向。PSTT5薄膜的铁电性能测试结果也表明，采用两步法RTA处理的PSTT5薄膜具有更好的铁电性能，其剩余极化强度（2Pt）可达25．4μC／cm^2。

英文摘要：

0.95Pb（Sc0.5 Ta0.5 ）O3-0.05PbTiO3 （PSTT5） ferroelectrie thin fihns have been prepared by RF magnetron sputtering on LSCO/Pt/Ti/SiO2/Si （100） substrates. The effects of two kinds of rapid thermal annealing （RTA） processes on the properties of PSTT5 were studied. The XRD pattern showed that Two Steps RTA can make PSTT5 thin films form pure perovskite structure and highly （220） oriented. The ferroelectric measurements indicated that the PSTT5 thin films had better ferroelectric property after two steps RTA. The 2Pr can be up to 25.4 μC/cm^2.

同期刊论文项目
热释电薄膜型非制冷红外焦平面阵列若干关键技术研究
期刊论文 27 会议论文 18 著作 1
具有谐振腔结构的磁电复合薄膜的制备及其磁电效应研究
期刊论文 17 会议论文 2 专利 1 著作 1
同项目期刊论文
Raman spectroscopic studies of PbxLa1-xTi1-x/4O3 thin films grown on Si substrates by RF magnetron s
Enhanced ferroelectric and dielectric properties of highly (100)-oriented 0.67Pb(Mg1/3Nb2/3)O3–0.33P
两步法快速退火对PMN-PT薄膜结构和性能的影响
烧结温度对CoFe2O4/ Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.35PbTiO3 磁电复合陶瓷性能的影响
Dielectric and piezoelectric properties of (1-x)(0.36BiScO3-0.64 PbTiO3)-xBiYbO3 ceramics
Influence of heating rate on the crystalline properties of 0.7BiFeO3-0.3PbTiO3 thin films prepared b
Effect of a LaSrCoO3 buffer layer on Pb1-xLaxTi1-x/4O3 films studied by polarized Raman spectroscopy
Feature of morphotropic phase boundary of yBiGaO(3)-(1-x-y)BiScO3-xPbTiO(3) high-temperature piezoel
0.68BiFeO3-0.32PbTiO3 薄膜的制备和表征
Effect of CoFe2O4 content on the dielectric and magnetoelectric properties in CoFe2O4/ Pb(Mg1/3Nb2/3
Microstructure, domain structures and ferroelectric properties in (Pb0.8La0.1Ca0.1)TiO3 /Pb(Zr0.2Ti0
升温速率对Bi0.98La0.02FeO3-PbTiO3薄膜结构性能的影响
液-固-溶液法制备ZnSe∶Fe纳米晶及其光学性能研究
高压退火对0.65PMN-0.35PT薄膜结构、形貌及电学性能的影响
In^3＋、Ga^3＋掺杂BSPT高温压电陶瓷的研究
Microstructure and electrical properties of Mn/Y codoped Ba0.67Sr0.33TiO3 ceramics
Effect of Li Substitution on Piezo- and Ferroelectric Properties of (K(0.5)Na(0.5))Nb(0.95)Sb(0.05)O
The Fabrication of Highly (100)-Oriented Ba0.8Sr0.2TiO3/LaNiO3 Multilayers via Sol-Gel Method
Temperature field and residual stress analysis of multilayer pyroelectric thin film
Unraveling dielectric and electrical properties of ultralow-loss lead magnesium niobate titanate pyr
不同退火方式对0.7BiFeO3-0.3PbTiO3薄膜的铁电性能及漏电流的影响
Preparation and Growth Characterization of Crystallized Sr1-xCaxMoO4 and Sr1-xBaxMoO4 Films by Chemi
Mn掺杂BST陶瓷的本征热释电性能研究
Temperature Stability of Electrical Properties of (K(0.5)Na(0.5))(1-x)Li(x)Nb(0.95)Sb(0.05)O(3) Lead
高度(100)取向的Ba0.8 Sr0.2 TiO3/LaNiO3周期薄膜的制备及薄膜铁电性能研究
两步法快速退火对PMN-PT薄膜结构和性能的影响
Influence of Annealing Process on Crystalline, Microstructure, and Ferroelectric Properties of PSTT5
Periodicity and orientation dependence of electrical properties of [(Pb0.90La0.10)Ti0.975O3/ PbTiO3]
Investigation on the composition design and properties study of perovskite lead-free piezoelectric c
Photoluminescence Properties of Zinc Tungstate Films Prepared by Sol-Gel Method
Effect of different annealing methods on ferroelectric properties of 0.95Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-0.05PbTiO3
The Effects of Buffers on the Microstructure and Electrical Properties of Mn/Y Co-Doped Ba0.67Sr0.33
Enhanced ferroelectric properties of Mg doped (Ba,Sr)TiO3 thick films grown on (001) SrTiO3 substrat
Giant dielectric constant observed in Ba0.96Sr0.04ZrxY0.005Ti0.995–xO3 ceramics
期刊信息
  • 《压电与声光》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:中国电科第二十六研究所
  • 主编：胡少勤
  • 地址：重庆南坪花园路14号26所
  • 邮编：400060
  • 邮箱：ydsgsipat@163.com
  • 电话：023-62919570
  • 国际标准刊号：ISSN：1004-2474
  • 国内统一刊号：ISSN：50-1091/TN
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 1984年获电子部优秀科技期刊三等奖,1990年获电子行业优秀科技期刊三等奖,1990年获首届机电部优秀科技期刊二等奖,1990年获首届四川省优秀科技期刊二等奖,1991年获首届国防科技工委优秀科技期刊二等奖,1992年获第二届机电部优秀科技期刊三等奖,1992年获第二届四川省优秀科技期刊二等奖,1993年获第一届全国优秀科技期刊三等奖,1995年获首届四川省宣传部、省新闻出版局、省期刊...,1995年获四川省第三届优秀科技期刊二等奖,1995-1996年获信息产业部电子优秀科
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,波兰哥白尼索引,荷兰文摘与引文数据库,美国剑桥科学文摘,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:8238