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Modulated photoluminescence of shallow levels in arsenic-doped Hg1-xCdxTe (x approximate to 0.3) gro
  • ISSN号:0003-6951
  • 期刊名称:Applied Physics Letters
  • 时间:0
  • 页码:1336-1344
  • 语言:英文
  • 相关项目:铁电薄膜红外光限制效应及红外应用研究
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