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中文摘要：
本课题系统研究了铁电薄膜的光学特性、电学特性和铁电薄膜光限制现象的机理，较深入研究了铁电薄膜特性与材料微结构及生长工艺等的关系。研究发现SrBi2NbxTa2-xO9 (SBTN) 铁电薄膜的光学常数和禁带宽度随成份的变化而不同。弄清了铁电薄膜光限制机理来源于铁电畴的光散射，获得了SrBi2Ta2O9 和PbZrxTi12xO3薄膜在红外光谱区域的限制阈值、饱和阈值和损伤阈值，研究表明铁电薄膜的光限制效应不仅受薄膜制备工艺的影响，还受材料成份的影响。研究了70%Pb(Mg1/3,Nb2/3)O3-30%PbTiO3 (PMNT) / LaNiO3 (LNO) 的介电频率依赖性，及其极化弛豫性和氧空位运动情况，发现PMNT的剩余极化高达17.1 μC/cm2。研究发现，少量的铁掺杂能有效提高BaTiO3薄膜的铁电性。研究了CaCu2Ti4O12 (CCTO) 薄膜生长在不同衬底上对其微结构和特性的影响。研究了LaNiO3/Si衬底上Bi2VO5.5铁电薄膜的退火工艺，对薄膜的铁电和介电特性的影响。
结论摘要：
英文主题词ferroelectric;optical limiting;dopant;thin films
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