位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Effect of different epitaxial structures on GaAs photoemission
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：Chinese Physics B
  • 时间：0
  • 页码：825-844
  • 语言：英文
  • 相关项目：GaAs电子源光电发射理论与稳定性机理研究
作者： Benkang Chnag|Jijun Zou|Yijun Zhang|Wenjuan Deng|Jieyun Jin|
同期刊论文项目
GaAs电子源光电发射理论与稳定性机理研究
期刊论文 27 会议论文 4 专利 4
同项目期刊论文
GaAs 光电阴极智能激活研究
透射式指数掺杂GaAs光电阴极最佳厚度研究
Variation of spectral response for exponential-doped transmission-mode GaAs photocathodes in the pre
高温Cs激活GaAs光电阴极表面机理研究
Influence of exponential-doping structure on photoemission capability of transmission-mode GaAs phot
指数掺杂结构对透射式GaAs光电阴极量子效率的影响研究
GaAs真空电子源衰减模型研究
Annealing study of carrier concentration in gradient-doped GaAs/GaAlAs epilayers grown by molecular
GaAs光电阴极智能激活研究
指数掺杂GaAs光电阴极分辨力特性分析
指数掺杂透射式GaAs光电阴极表面光电压谱研究
期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京 中关村 中国科学院物理研究所内
  • 邮编：100080
  • 邮箱：
  • 电话：010-82649026 82649519
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:406