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温度对Si上MOCVD-ZnO成核与薄膜生长特性的影响
  • ISSN号：1000-7032
  • 期刊名称：《发光学报》
  • 时间：0
  • 分类：O484.1[理学—固体物理;理学—物理]
  • 作者机构：集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学电子科学与工程学院
  • 相关基金：“973”国家重点基础研究发展计划(2011CB302005);国家自然科学基金(61106003,61223005);长春市科技局国际科技合作计划(12ZX68)资助项目
作者： 崔夕军, 庄仕伟, 张金香, 史志锋, 伍斌, 董鑫, 张源涛, 张宝林, 杜国同
关键词： ZNO, MOCVD, 成核, 薄膜
中文摘要：

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在Si衬底上进行了ZnO的成核与薄膜生长研究。ZnO薄膜的形貌和结晶特性由成核和后期生长过程共同决定,初期成核温度决定了其尺寸和密度,进而影响后期ZnO主层的生长行为,但由于高温对后期ZnO纳米柱横向生长的抑制,纳米柱的尺寸并没有因为成核尺寸的增大而变大,因此在560℃得到了晶柱尺寸最大、密度最小的ZnO薄膜。最后通过改变成核温度,优化了ZnO外延膜的结晶质量。

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期刊信息
  • 《发光学报》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会发光分会 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
  • 主编：申德振
  • 地址：长春市东南湖大路3888号
  • 邮编：130033
  • 邮箱：fgxbt@126.com
  • 电话：0431-86176862
  • 国际标准刊号：ISSN：1000-7032
  • 国内统一刊号：ISSN：22-1116/O4
  • 邮发代号:12-312
  • 获奖情况:
  • 物理学类核心期刊,2000年获中国科学院优秀期刊二等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:7320